IR2110S vs IR2117STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2110S und IR2117STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IR2110S

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
5478 Stückzahl
Series
Power Management (PMIC.Gate Drivers)
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Specification IR2110S IR2117STRPBF
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2110 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 80ns, 40ns
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