IR2117STRPBF vs IR2110S
Dieser detaillierte Vergleich von IR2110S und IR2117STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC 8N
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IR2110
-
DigiKey Programmable
Not Verified
-
Driven Configuration
Half-Bridge
-
Channel Type
Independent
-
Number of Drivers
2
-
Gate Type
IGBT, MOSFET (N-Channel)
-
Voltage - Supply
3.3V ~ 20V
-
Logic Voltage - VIL, VIH
6V, 9.5V
-
Current - Peak Output (Source, Sink)
2A, 2A
-
Input Type
Non-Inverting
-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
500 V
-
Rise / Fall Time (Typ)
25ns, 17ns
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tube
-
ProductStatus
-
Active
DrivenConfiguration
-
High-Side
ChannelType
-
Single
NumberofDrivers
-
1
GateType
-
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
-
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
-
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
-
250mA, 500mA
InputType
-
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
-
600 V
Rise/FallTime(Typ)
-
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
