IR2117STRPBF vs IR2110STR

Dieser detaillierte Vergleich von IR2117STRPBF und IR2110STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification IR2117STRPBF IR2110STR
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration High-Side Half-Bridge
Channel Type Single Independent
Number of Drivers 1 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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