IR2117STRPBF vs IR2110STR
Dieser detaillierte Vergleich von IR2117STRPBF und IR2110STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC 8N
16-SOIC
Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
High-Side
Half-Bridge
ChannelType
Single
Independent
NumberofDrivers
1
2
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
10V ~ 20V
3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
250mA, 500mA
2A, 2A
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
600 V
500 V
Rise/FallTime(Typ)
80ns, 40ns
25ns, 17ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
