IR2110STRPBF vs IR2112S Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IR2112S und IR2110STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC 16W
Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
IR2112
-
Digi Key Programmable
Not Verified
-
Driven Configuration
High-Side, Low-Side
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
IGBT, MOSFET (N-Channel)
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH
6V, 9.5V
-
Current - Peak Output (Source, Sink)
250mA, 500mA
-
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
600 V
-
Rise / Fall Time (Typ)
80ns, 40ns
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Tube
-
Logic Voltage - VILVIH
-
6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
-
2A, 2A
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
-
500 V
Rise / Fall Time(Typ)
-
25ns, 17ns
