IR2112STRPBF vs IR2112S

Dieser detaillierte Vergleich von IR2112S und IR2112STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2112S

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4810 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2112STRPBF

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3055 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC 16W
Beschreibung IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2112 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - High-Side or Low-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 250mA, 500mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 40ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2112S IR2112STRPBF

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