IR2301STRPBF vs IR2301STR

Dieser detaillierte Vergleich von IR2301STRPBF und IR2301STR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2301STRPBF

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6145 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2301STR

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2172 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 5V ~ 20V 5V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 130ns, 50ns 130ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2301STRPBF IR2301STR

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