IR2301STRPBF vs IR2304SPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2301STRPBF und IR2304SPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2301STRPBF

+Stückliste

6145 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2304SPBF

+Stückliste

4520 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC 8N
Beschreibung IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 5V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 60mA, 130mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 130ns, 50ns 200ns, 100ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2301STRPBF IR2304SPBF

+Stückliste Anfrage