IRF4905PBF vs IRF4905STRRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF4905STRRPBF und IRF4905PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-263-3
TO-220
Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Not For New Designs
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
42A (Tc)
74A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 42A, 10V
20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
180 nC @ 10 V
180 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
3500 pF @ 25 V
3400 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
170W (Tc)
200W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Through Hole
