IRF5305PBF vs IRF530
Dieser detaillierte Vergleich von IRF5305PBF und IRF530 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO220
TO-220-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Series
HEXFET®
STripFET™ II
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
31A (Tc)
14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
60mOhm @ 16A, 10V
160mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
63 nC @ 10 V
21 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1200 pF @ 25 V
458 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
110W (Tc)
60W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
