IRF5305PBF vs IRF530NSTRLPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF5305PBF und IRF530NSTRLPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF5305PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7745 Stückzahl
Package: TO-220
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF530NSTRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 1441 Stückzahl
Package: TO-263-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRF5305PBF	IRF530NSTRLPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	31A (Tc)	17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	60mOhm @ 16A, 10V	90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V	37 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V	920 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)	3.8W (Ta), 70W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Surface Mount

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