IRF540NPBF vs IRF540
Dieser detaillierte Vergleich von IRF540 und IRF540NPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF540
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 17A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
Series
-
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
71 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
130W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
