IRF540NPBF vs IRF540PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF540PBF und IRF540NPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220AB
TO-220
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
28A (Tc)
33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
77mOhm @ 17A, 10V
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
72 nC @ 10 V
71 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
150W (Tc)
130W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
-
HEXFET®
