IRF7103TRPBF vs IRF7101TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7103TRPBF und IRF7101TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7103TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3890 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7101TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4760 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7103TRPBF	IRF7101TRPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3A	3.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs	130mOhm @ 3A, 10V	100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	30nC @ 10V	15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290pF @ 25V	320pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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