IRF7103TRPBF vs IRF7106
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7103TRPBF und IRF7106 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
50V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3A
3A, 2.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
130mOhm @ 3A, 10V
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
30nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 25V
300pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
