IRF7104TRPBF vs IRF7105PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7104TRPBF und IRF7105PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7104TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 22804 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7105PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7430 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7104TRPBF	IRF7105PBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 P-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.3A	3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	250mOhm @ 1A, 10V	100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	27nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290pF @ 15V	330pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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