IRF7204TRPBF vs IRF7201TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7201TRPBF und IRF7204TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF7201
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
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P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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5.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
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60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
25 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
860 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
