IRF7204TRPBF vs IRF7241TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7241TRPBF und IRF7204TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Last Time Buy
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.2A (Ta)
5.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
41mOhm @ 6.2A, 10V
60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
80 nC @ 10 V
25 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
3220 pF @ 25 V
860 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
