IRF7304TRPBF vs IRF7317PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7304TRPBF und IRF7317PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7304TRPBF

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6900 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7317PBF

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5507 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A 6.6A, 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 610pF @ 15V 900pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7304TRPBF IRF7317PBF

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