IRF7304TRPBF vs IRF7380QTRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7304TRPBF und IRF7380QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Last Time Buy
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
80V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.3A
3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
700mV @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
23nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
610pF @ 15V
660pF @ 25V
Power - Max
2W
2W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
