IRF7304TRPBF vs IRF7389PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7304TRPBF und IRF7389PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
Discontinued at Digi-Key
FET Type
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
30V
Rds On(Max) @ Id Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
610pF @ 15V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2.5W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.3A
-
