IRF7307TRPBF vs IRF7303PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7307TRPBF und IRF7303PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7307TRPBF

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3667 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7303PBF

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3102 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Last Time Buy Discontinued at Digi-Key
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.2A, 4.3A 4.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 15V 520pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7307TRPBF IRF7303PBF

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