IRF7307TRPBF vs IRF7309PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7307TRPBF und IRF7309PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7307TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3667 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7309PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6881 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7307TRPBF	IRF7309PBF
Supplier	-	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Discontinued at Digi-Key
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.2A, 4.3A	4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 2.6A, 4.5V	50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V	25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 15V	520pF @ 15V
Power - Max	2W	1.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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