IRF7309TRPBF vs IRF7301TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7309TRPBF und IRF7301TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7309TRPBF

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5390 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7301TRPBF

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6240 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Last Time Buy
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A, 3A 5.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 520pF @ 15V 660pF @ 15V
Power-Max 1.4W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7309TRPBF IRF7301TRPBF

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