IRF7328TRPBF vs IRF7301TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7328TRPBF und IRF7301TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7328TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3724 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

IRF7301TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6240 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification IRF7328TRPBF IRF7301TRPBF
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Last Time Buy
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A 5.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 78nC @ 10V 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2675pF @ 25V 660pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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