IRF7328TRPBF vs IRF7307PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7328TRPBF und IRF7307PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7328TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3724 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7307PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5509 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7328TRPBF	IRF7307PBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 P-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	8A	5.2A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	21mOhm @ 8A, 10V	50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	78nC @ 10V	20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2675pF @ 25V	660pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage