IRF7309TRPBF vs IRF7304QTRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7309TRPBF und IRF7304QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4A, 3A
4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
22nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 15V
610pF @ 15V
Power - Max
1.4W
2W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
