IRF7309TRPBF vs IRF7307PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7309TRPBF und IRF7307PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4A, 3A
5.2A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 15V
660pF @ 15V
Power - Max
1.4W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
