IRF7309TRPBF vs IRF7307TRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7307TRPBF und IRF7309TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7307TRPBF

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3667 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7309TRPBF

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5390 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.2A, 4.3A 4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 15V 520pF @ 15V
Power - Max 2W 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7307TRPBF IRF7309TRPBF

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