IRF7309TRPBF vs IRF7313PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7309TRPBF und IRF7313PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7309TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5390 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7313PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2846 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7309TRPBF	IRF7313PBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4A, 3A	6.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 2.4A, 10V	29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V	33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	520pF @ 15V	650pF @ 25V
Power - Max	1.4W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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