IRF7313TRPBF vs IRF7317PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7313TRPBF und IRF7317PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Discontinued at Digi-Key
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.5A
6.6A, 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
33nC @ 10V
27nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650pF @ 25V
900pF @ 15V
Power - Max
2W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
