IRF7317TRPBF vs IRF7309QTRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7309QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.6A, 5.3A
4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
900pF @ 15V
520pF @ 15V
Power - Max
2W
1.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
