IRF7317TRPBF vs IRF7335D1TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7335D1TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7317TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2170 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7335D1TR

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5954 Stückzahl
Package: SOIC-14
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7317TRPBF	IRF7335D1TR
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	FETKY™
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.6A, 5.3A	10A
Rds On(Max) @ Id Vgs	29mOhm @ 6A, 4.5V	17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	27nC @ 4.5V	20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	900pF @ 15V	1500pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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