IRF7317TRPBF vs IRF7335D1TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7317TRPBF und IRF7335D1TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7317TRPBF

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2170 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7335D1TR

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5954 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-14
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® FETKY™
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.6A, 5.3A 10A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 1500pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7317TRPBF IRF7335D1TR

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