IRF7313TRPBF vs IRF7335D1TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7313TRPBF und IRF7335D1TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7313TRPBF

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4931 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7335D1TR

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5954 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® FETKY™
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A 10A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33nC @ 10V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V 1500pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7313TRPBF IRF7335D1TR

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