IRF7313TRPBF vs IRF7303PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7313TRPBF und IRF7303PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7313TRPBF

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4931 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7303PBF

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3102 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A 4.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V 520pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7313TRPBF IRF7303PBF

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