IRF7351TRPBF vs IRF7324TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7351TRPBF und IRF7324TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7351TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 1607 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7324TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2046 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7351TRPBF	IRF7324TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	8A	9A
Rds On(Max) @ Id Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 50µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36nC @ 10V	63nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1330pF @ 30V	2940pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage