IRF7351TRPBF vs IRF7313TRPBF-1

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7351TRPBF und IRF7313TRPBF-1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7351TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 1607 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7313TRPBF-1

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4102 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7351TRPBF	IRF7313TRPBF-1
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	8A	6.5A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 50µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36nC @ 10V	33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1330pF @ 30V	650pF @ 25V
Power - Max	2W	2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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