IRF7389TRPBF vs IRF7324TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7389TRPBF und IRF7324TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7389TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2749 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7324TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2046 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7389TRPBF	IRF7324TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Rds On(Max) @ Id Vgs	29mOhm @ 5.8A, 10V	18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	33nC @ 10V	63nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	650pF @ 25V	2940pF @ 15V
Power - Max	2.5W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	9A

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