IRF7389TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7389TRPBF und IRF7341GTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7389TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2749 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7341GTRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3946 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7389TRPBF	IRF7341GTRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	55V
Rds On(Max) @ Id Vgs	29mOhm @ 5.8A, 10V	50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	33nC @ 10V	44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	650pF @ 25V	780pF @ 25V
Power - Max	2.5W	2.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	5.1A

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