IRF7328TRPBF vs IRF7309PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7328TRPBF und IRF7309PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7328TRPBF

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3724 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7309PBF

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6881 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A 4A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 21mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 78nC @ 10V 25nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2675pF @ 25V 520pF @ 15V
Power-Max 2W 1.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7328TRPBF IRF7309PBF

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