IRF7328TRPBF vs IRF7341QTRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7328TRPBF und IRF7341QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7328TRPBF

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3724 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7341QTRPBF

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6461 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A 5.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 21mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 78nC @ 10V 44nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2675pF @ 25V 780pF @ 25V
Power-Max 2W 2.4W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vergleichsmodell : IRF7328TRPBF IRF7341QTRPBF

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