IRF7341GTRPBF vs IRF7313TRPBF-1 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341GTRPBF und IRF7313TRPBF-1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 5.1A
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Standard
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
5.1A
6.5A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
44nC @ 10V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
780pF @ 25V
650pF @ 25V
Power - Max
2.4W
2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
