IRF7341PBF vs IRF7303PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341PBF und IRF7303PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7341PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4680 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7303PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3102 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7341PBF	IRF7303PBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4.7A	4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V	50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36nC @ 10V	25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	740pF @ 25V	520pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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