IRF7341PBF vs IRF7304TR
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341PBF und IRF7304TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
22nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
610pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
