IRF7342PBF vs IRF7306TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7342PBF und IRF7306TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7342PBF

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2889 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7306TR

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9561 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 440pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7342PBF IRF7306TR

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