IRF7313TRPBF vs IRF7342PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7342PBF und IRF7313TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7342PBF

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2889 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7313TRPBF

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4931 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 6.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7342PBF IRF7313TRPBF

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