IRF7342PBF vs IRF7389TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7342PBF und IRF7389TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7342PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2889 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7389TR

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3343 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7342PBF	IRF7389TR
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V	30V
Rds On(Max) @ Id Vgs	105mOhm @ 3.4A, 10V	29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	38nC @ 10V	33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	690pF @ 25V	650pF @ 25V
Power - Max	2W	2.5W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.4A	-

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