IRF7342PBF vs IRF7389TR Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7342PBF und IRF7389TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
30V
Rds On(Max) @ Id Vgs
105mOhm @ 3.4A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
38nC @ 10V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
690pF @ 25V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2.5W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.4A
-
