IRF7303TRPBF vs IRF7343TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7303TRPBF und IRF7343TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7303TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5181 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7343TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3788 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7303TRPBF	IRF7343TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Standard	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4.9A	4.7A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 2.4A, 10V	50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	520pF @ 25V	740pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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