IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7389TRPBF und IRF7343TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SO-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
55V
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
33nC @ 10V
36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650pF @ 25V
740pF @ 25V
Power - Max
2.5W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
4.7A, 3.4A
