IRF7473TRPBF vs IRF7410TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7473TRPBF und IRF7410TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7473TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3489 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF7410TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2629 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7473TRPBF	IRF7410TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	12 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.9A (Ta)	16A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	26mOhm @ 4.1A, 10V	7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	5.5V @ 250µA	900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V	91 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	3180 pF @ 25 V	8676 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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