IRF7478TRPBF vs IRF7425TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7478TRPBF und IRF7425TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7478TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4717 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF7425TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4696 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRF7478TRPBF	IRF7425TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7A (Ta)	15A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	26mOhm @ 4.2A, 10V	8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	31 nC @ 4.5 V	130 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1740 pF @ 25 V	7980 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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