IRF7821TRPBF vs IRF7815TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7815TRPBF und IRF7821TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A (Ta)
13.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
43mOhm @ 3.1A, 10V
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 100µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1647 pF @ 75 V
1010 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 155°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
